[实用新型]一种紫外LED光源倒装结构有效

专利信息
申请号: 201721239845.1 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN207199658U 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 何苗;杨思攀;王成民;周海亮;王润 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 王宝筠
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种紫外LED光源倒装结构,包括衬底,在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层。贯穿金属反射层以及部分电流扩展层的第一电极凹槽;贯穿n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层的第二电极凹槽;与第一电极凹槽接触连接的p电极,与第二电极凹槽接触连接的n电极;设置于外延层结构背离衬底一侧的环形金属条结构,环形金属条结构对p电极以及n电极进行环形包裹,且与p电极连接,与n电极不连接。该紫外LED光源倒装结构具有发光效率高、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。
搜索关键词: 一种 紫外 led 光源 倒装 结构
【主权项】:
一种紫外LED光源倒装结构,其特征在于,所述紫外LED光源倒装结构包括:衬底;设置在所述衬底上的外延层结构;所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层;其中,所述第一方向垂直于所述衬底、且由所述衬底指向所述外延层结构;贯穿所述金属反射层以及部分所述电流扩展层的第一电极凹槽;贯穿所述n型导电层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述p型导电层、所述电流扩展层以及所述金属反射层的第二电极凹槽;与所述第一电极凹槽接触连接的p电极,与所述第二电极凹槽接触连接的n电极;设置于所述外延层结构背离所述衬底一侧的环形金属条结构,所述环形金属条结构对所述p电极以及所述n电极进行环形包裹,且与所述p电极连接,与所述n电极不连接。
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