[实用新型]一种具有沟道截止环的可控硅有效
| 申请号： | 201721251978.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN207233740U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种具有沟道截止环的可控硅，包括N型半导体基体，P型基区、P+型隔离扩散区、沟槽、N+型阴极区、沟道截止环以及金属电极；沟道截止环可以是P+型沟道截止环也可以是N+型沟道截止环。具有P+型沟道截止环的可控硅的制造步骤包括硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、短基区扩散、截止环光刻、截止环扩散、阴极光刻、磷扩散、沟槽光刻、沟槽腐蚀、沟槽钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化。本实用新型通过在门极和阴极间设置有一个沟道截止环，沟道截止环能阻止阴极和门极间的氧化层中的正电荷对可控硅触发电流产生的不利影响，提高了可控硅触发电流的稳定性，进而提高了可控硅使用的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟道 截止 可控硅 | ||
【主权项】：
一种具有沟道截止环的可控硅，其特征在于：包括N型半导体基体，位于N型半导体基体上下两侧的P型基区，位于N型半导体基体两侧的P+型隔离扩散区，位于N型半导体基体上端面的沟槽(3)，位于上侧P型基区内的N+型阴极区(4)，位于N+型阴极区4间的门极(2)，位于N+型阴极区和门极(2)之间的沟道截止环(1)，以及位于下侧P型基区表面的阳极金属电极A、位于门极(2)上表面的门极金属电极G和N+型阴极区(4)上表面的阴极金属电极K。
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