[实用新型]一种改善low-k薄膜均一性的装置有效
申请号: | 201721252681.6 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN207765407U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 钟飞;许隽;王科;韩晓刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201200 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种改善low‑k薄膜均一性的装置,包括反应室和狭缝阀,还包括一狭缝插块,所述狭缝插块设置有:一圆弧形块,所述圆弧形块与反应室相接面为圆弧形;一滑动块,所述滑动块与圆弧形块的底面连接,所述滑动块底部设左右两滑槽;两直线导轨,所述直线导轨与滑槽适配连接;一步进电机,与所述直线导轨一端连接;两竖直伸缩杆,所述竖直伸缩杆与所述直线导轨的底端连接。本实用新型通过设计优化反应室结构,从而降低了low‑k工艺的薄膜均匀性问题,提高了薄膜稳定性。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中,加入狭缝插块,改善空间结构,使工艺较为平稳。 | ||
搜索关键词: | 直线导轨 圆弧形块 反应室 滑动块 插块 狭缝 薄膜均一性 本实用新型 竖直伸缩杆 狭缝阀 滑槽 空间结构 机台 薄膜均匀性 薄膜稳定性 反应室结构 一步进电机 设计优化 适配连接 一端连接 相接面 圆弧形 底端 底面 | ||
【主权项】:
1.一种改善low‑k薄膜均一性的装置,包括反应室(1)和狭缝阀(2),其特征在于:还包括一狭缝插块(3),所述狭缝插块(3)设置有:一圆弧形块(31),所述圆弧形块(31)与反应室(1)相对的面为圆弧形;一滑动块(32),所述滑动块(32)与圆弧形块(31)的底面连接,所述滑动块(32)底部设置左右两滑槽(33);两直线导轨(34),所述直线导轨(34)与滑槽(33)适配连接;一步进电机(35),与所述直线导轨(34)一端连接;两竖直伸缩杆(36),所述竖直伸缩杆(36)与所述直线导轨(34)的底端连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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