[实用新型]一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置

摘要

本实用新型公开了一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置由宽带光源，入射光纤，高掺锗光纤，出射光纤，光纤光谱仪，高掺锗光纤光栅，锥区，磁流体，石英毛细管，UV胶，磁场发生器和温度控制箱组成。创新地将极短长度的高掺锗光纤熔接在单模光纤之间，并在高掺锗光纤上直接刻写光纤光栅，进一步对该结构进行化学腐蚀增敏，利用M‑Z干涉光谱与光纤光栅对磁场和温度不同的响应直接实现了双参数的同时测量。高掺锗光纤刻写光纤光栅不需要载氢和退火，简化了制作工艺，热敏感性也比石英光纤高，这大幅缩减了探头体积。因此，该发明具有体积小巧，灵敏度高，灵活性强和制作便捷的突出优点，是一种较优的分布式磁场测量设计方案。

主权项

一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：由宽带光源（1），入射光纤（2），高掺锗光纤（3），出射光纤（4），光纤光谱仪（5），高掺锗光纤光栅（6），锥区（7），磁流体（8），石英毛细管（9），UV胶（10），磁场发生器（11）和温度控制箱（12）组成；宽带光源（1）与入射光纤（2）的左端连接；入射光纤（2），高掺锗光纤（3）和出射光纤（4）依次熔接，出射光纤（4）的右端与光纤光谱仪（5）连接；高掺锗光纤（3）经倍频氩离子激光刻写形成高掺锗光纤光栅（6），再经化学腐蚀形成锥区（7），水平置于填充磁流体（8）的石英毛细管（9）的轴心处；石英毛细管（9）的两端用UV胶（10）密封，水平置于磁场发生器（11）的中部和温度控制箱（12）内。