[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201721269945.9 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN207353223U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种应用于存储器的半导体结构，包括：半导体基材，且半导体基材内具有若干沟槽结构；晶核层，位于沟槽结构的底部及侧壁，且具有供长晶厚度；以及填充层，位于晶核层表面且充满沟槽结构，填充层为多晶结构，填充层基于晶核层以非等向沉积长晶由沟槽结构的底部、侧壁生长而成，其中，晶核层和填充层填充沟槽结构。通过上述方案，本实用新型的半导体结构，可以在进行沟槽填充时使得填充层的各向沉积速率相同，进而可以降低封口现象的产生，从而减少因封口效应产生的孔隙，提高器件整体结构稳定性及导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体基材，且所述半导体基材内具有若干沟槽结构；晶核层，位于所述沟槽结构的底部及侧壁，且具有供长晶厚度；以及填充层，位于所述晶核层表面且充满所述沟槽结构，所述填充层为多晶结构，所述填充层基于所述晶核层以非等向沉积长晶由所述沟槽结构的底部、侧壁生长而成，其中，所述晶核层和所述填充层填充所述沟槽结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
