[实用新型]刻蚀下料新型导向机构有效
申请号: | 201721273685.2 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN207425827U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 四川英发太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 胡晓丽 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了刻蚀下料新型导向机构,包括机架,所述机架上均匀分布设有传送架,所述传送架上设有传送带,所述传送架沿传送带传送方向两外侧壁上对称设有导向条,所述导向条的长轴方向与传送带的传送方向平行;所述传送带用于传送硅片,所述硅片的底部同时与传送带两侧的导向条摩擦接触,且导向条与硅片的接触面积沿传送方向逐渐增大。本实用新型采用安装于传送带两侧的导向条进行导向,可有效防止破片问题,避免发生大规模卡片事故。 | ||
搜索关键词: | 传送带 导向条 传送架 硅片 本实用新型 传送方向 新型导向 刻蚀 下料 传送带传送方向 摩擦接触 逐渐增大 外侧壁 长轴 破片 平行 对称 卡片 传送 | ||
【主权项】:
1.刻蚀下料新型导向机构,包括机架(1),所述机架(1)上均匀分布设有传送架(2),所述传送架(2)上设有传送带(3),其特征在于,所述传送架(2)沿传送带(3)传送方向两外侧壁上对称设有导向条(4),所述导向条(4)的长轴方向与传送带(3)的传送方向平行;所述传送带(3)用于传送硅片(5),所述硅片(5)的底部同时与传送带(3)两侧的导向条(4)摩擦接触,且导向条(4)与硅片(5)的接触面积沿传送方向逐渐增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造