[实用新型]MEMS器件有效

专利信息
申请号: 201721307659.7 申请日: 2017-10-11
公开(公告)号: CN207689049U 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: E·杜奇;L·巴尔多;R·卡尔米纳蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14;G01P15/125
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张平
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 本公开提供了一种MEMS器件。该MEMS器件中由半导体材料制成的主体包含腔室以及所述腔室内的第一柱。半导体材料的盖附接到所述主体并形成第一隔膜、第一腔和第一通道。所述腔室在所述盖的侧面封闭。所述第一隔膜、所述第一腔、所述第一通道和所述第一柱形成电容式压力传感器结构。所述第一隔膜布置在所述第一腔和第二面之间,所述第一通道在所述第一腔和第一面之间或所述第一腔和所述第二面之间延伸,所述第一柱向所述第一隔膜延伸并与所述第一隔膜一起构成第一电容器元件的极板。
搜索关键词: 隔膜 半导体材料 第二面 腔室 电容式压力传感器 第一电容器 延伸 极板 柱向 室内 侧面 封闭
【主权项】:
1.一种MEMS器件,其特征在于,包括:半导体材料的主体;所述主体中的腔室;具有第一面和第二面的半导体材料的盖,所述盖的第一面耦接到所述主体并且覆盖所述腔室,所述盖包括由所述盖中的第一腔和所述第一面界定的第一隔膜,所述盖还包括在所述第二面和所述第一腔之间或在所述第一面和所述第一腔之间延伸的第一通道;以及所述主体中的第一柱,所述第一柱位于所述腔室内部并且面对所述第一隔膜,所述第一柱和所述隔膜形成电容式压力传感器的第一电容器元件的极板。
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