[实用新型]晶圆级芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721321262.3 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN207250487U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，所述晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属连接层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属连接层电连接；保护层，位于半导体芯片及重新布线层的外围。本实用新型通过在半导体芯片及重新布线层的低k介质层外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕，进而确保了封装芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于所述低k介质层内及所述低k介质层上表面的金属连接层；所述低k介质层位于所述半导体芯片的正面，且所述金属连接层与所述半导体芯片电连接；焊料凸块，位于所述重新布线层的上表面，且与所述金属连接层电连接；保护层，位于所述半导体芯片及所述重新布线层的外围，且将所述半导体芯片的侧面及所述低k介质层的侧面塑封。
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