[实用新型]存储器及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种存储器及半导体器件。通过增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度，以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此，不仅可利用相交的第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出节点接触窗，从而摒除了光刻工艺所带来的位移偏差的问题；并且，利用第一隔离屏障较低的顶表面，可实现节点接触的顶部延伸，以调整所形成的多个节点接触在其与电容器的连接面上的排布方式，从而可进一步优化电容器排布的密集程度。

主权项

一种存储器，其特征在于，包括：一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个节点接触区，所述节点接触区分布在所述位线接触区的两侧；多条字线导体，形成在所述衬底中并沿着第一方向延伸，用以隔离所述位线接触区和所述节点接触区；多条第一隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述字线导体，用于构成一第一隔离屏障，且所述第一隔离屏障的表面高于所述衬底的表面；多条位线导体，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述位线导体与相应的有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线导体上；多条第二隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述位线导体，所述位线导体和所述第二隔离线共同用于构成一第二隔离屏障，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个节点接触窗，每一所述节点接触区对应一个所述节点接触窗，并且利用所述第二隔离线相对于所述第一隔离线在所述衬底上的厚度差值使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；以及，多个节点接触，填充在所述节点接触窗中，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述节点接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的上方且不延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方。