[实用新型]一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片有效
| 申请号： | 201721345179.X | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN207675817U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王峥;庞振江;郭彦;王海宝;李胜芳;徐绥召;詹姆斯·G·迪克;林秀龙 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/20 | 分类号： | G01R15/20;G01R15/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电阻 电流传感器 全集成 芯片 封装 聚磁 桥臂 本实用新型 底部电极层 顶部电极层 被钉扎层 键合引线 灵敏方向 外围器件 引线框架 装配效率 保护层 钉扎层 封装体 隔离层 偏置层 体内部 种子层 自由层 减小 串联 垂直 体内 | ||
【主权项】：
1.一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；其特征在于，所述TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个所述磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；所述磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；所述聚磁层，用于使所述TMR磁电阻的灵敏方向垂直于所述TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。
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