[实用新型]一种CVD承重盘有效
申请号: | 201721350963.X | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN207418856U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 薛波 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种CVD承重盘,包括进气段、气体处理段和出气段,所述进气段内设置有多个漏斗状进气通道;所述气体处理段包括气体储存腔室、气体干燥腔室、气压调节腔室、用于连通气体储存腔室与气体干燥腔室的第一通道和用于连通气体干燥腔室与气压调节腔室的第二通道;所述出气段包括一个漏斗状出气通道,所述漏斗状出气通道的出气端设置有整流网。本实用新型的CVD承重盘,采用多段结构,使得从CVD承重盘流入到反应腔内的气体均匀分布,且不易受到外界影响,从而实现反应腔内各部位气体的均匀性,最终使得CVD产品表面质量得到明显提高。 | ||
搜索关键词: | 承重盘 气体干燥 漏斗状 腔室 气体储存腔室 本实用新型 气体处理段 气压调节腔 出气通道 出气段 反应腔 进气段 连通 产品表面 多段结构 进气通道 外界影响 出气端 均匀性 整流网 | ||
【主权项】:
1.一种CVD承重盘,其特征在于,包括进气段(1)、气体处理段(2)和出气段(3),所述气体处理段(2)的两端分别与进气段(1)和出气段(3)连接,所述进气段(1)内设置有多个漏斗状进气通道(11),每个所述漏斗状进气通道(11)的进气端的截面面积大于漏斗状进气通道(11)的出气端的截面面积,每个所述漏斗状进气通道(11)的出气端均设置有第一气体电磁阀;所述气体处理段(2)包括气体储存腔室(21)、气体干燥腔室(22)、气压调节腔室(23)、用于连通气体储存腔室(21)与气体干燥腔室(22)的第一通道(24)和用于连通气体干燥腔室(22)与气压调节腔室(23)的第二通道(25),所述气体储存腔室(21)与每个漏斗状进气通道(11)的出气端连通,所述第一通道(24)内设置有第二气体电磁阀,所述第二通道(25)内设置有第三气体电磁阀;所述出气段(3)包括一个漏斗状出气通道(31),所述漏斗状出气通道(31)的出气端的截面面积大于漏斗状出气通道(31)的进气端的截面面积,所述漏斗状出气通道(31)的进气端和气压调节腔室(23)连通,所述漏斗状出气通道(31)的出气端设置有整流网(32)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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