[实用新型]一种用于大尺寸电池片镀膜上料的位置校正装置有效
申请号: | 201721351516.6 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN207368002U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 刘慎思;陶智华;眭山;郑飞;张忠卫;阮忠立 | 申请(专利权)人: | 上海神舟新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 王小荣 |
地址: | 201112 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于大尺寸电池片镀膜上料的位置校正装置,该装置设置在上料校正器上,装置包括设置在上料校正器上的前进部位挡板以及设置在前进部位挡板侧面的变厚度机构,该变厚度机构对硅片的位置进行校正。与现有技术相比,本实用新型通过变厚度机构增加硅片的前进距离,使硅片能够到达与石墨框承载部位相对应的位置,避免出现上料放片不到位、放片后容易掉片、易碎片等问题,保证了产品质量及生产过程的正常进行;毋需对现有设备及校正器进行改变,也不用更改设备参数来实现硅片上料,不会引起生产过程中的其它不稳定性因素,保证了现有设备的稳定性;调节方式灵活,应用范围广。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 尺寸 电池 镀膜 位置 校正 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于大尺寸电池片镀膜上料的位置校正装置,该装置设置在上料校正器上,其特征在于,所述的装置包括设置在上料校正器上的前进部位挡板(1)以及设置在前进部位挡板(1)侧面的变厚度机构,该变厚度机构对硅片的位置进行校正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的