[实用新型]一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置有效
| 申请号： | 201721355385.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN207267901U | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;黄嘉丽;王智昊;贺广东;王琦琨;龚加玮;雷丹 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在籽晶台上的导流罩，导流罩沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开。本实用新型一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，通过设置沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开的导流罩，使气体集中往籽晶台中心部位传输，有效的抑制了籽晶周围多晶的形成，解决了坩埚盖与坩埚本体由于晶体粘结而难打开的问题；同时，通过将籽晶台抵接在坩埚盖内表面，籽晶台通过坩埚盖与外界传热散热，降低了籽晶台的中心温度，提高了籽晶台与氮化铝粉源之间长晶的温差，提高了长晶的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化 铝单晶 生长 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于所述坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在所述籽晶台上的导流罩，所述导流罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开。
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