[实用新型]一种OLED显示屏阳极基板有效
申请号: | 201721358556.3 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN207441703U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 郑华;杨雷;章伟;范丽仙;张耿;张绍强;刘敏霞;李春花 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;李捷 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种OLED显示屏阳极基板,包括具有阳极金属的TFT基板,TFT基板上设置有多个第一像素定义层,两第一像素定义层之间形成一子像素坑,所述阳极金属设置于TFT基板上与子像素坑对应的位置上,所述第一像素定义层的顶部设置有一可含氟的第二像素定义层,且第二像素定义层的宽度小于第一像素定义层的顶部宽度;所述阳极金属的尺寸小于对应的子像素坑的底部尺寸。利用本实用新型制得的OLED显示屏阳极基板,可使得在制备OLED显示屏的过程中,喷墨打印的液滴能在子像素坑内良好地形成红绿蓝发光层,并且可保证OLED显示屏发光的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 像素定义层 子像素 阳极金属 阳极基板 本实用新型 顶部设置 喷墨打印 阳极 发光层 红绿蓝 均匀性 含氟 液滴 制备 发光 保证 | ||
【主权项】:
1.一种OLED显示屏阳极基板,包括具有阳极金属的TFT基板,TFT基板上设置有多个第一像素定义层,两第一像素定义层之间形成一子像素坑,所述阳极金属设置于TFT基板上与子像素坑对应的位置上,其特征在于:所述第一像素定义层的顶部设置有一可含氟的第二像素定义层,且第二像素定义层的宽度小于第一像素定义层的顶部宽度;所述阳极金属的尺寸小于对应的子像素坑的底部尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的