[实用新型]一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 201721381858.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338418U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;H01L33/40;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层、Al单晶金属薄膜层、p－GaN薄膜层、i－AlN薄膜层、n－ZnO层薄膜和单晶光子晶体薄膜层，采用p型GaN/n型ZnO异质结构，具有热稳定性高、化学稳定性好、技术成熟等优点，采用光子晶体取代ITO发展垂直结构的LED芯片，简化了芯片结构和芯片制程工序，有利于提高LED器件的出光效率，改善器件内部电流分布均匀性，光电性能优异，有利于制备低成本、大功率光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层(11)、Al单晶金属薄膜层(12)、p－GaN薄膜层(13)、i－AlN薄膜层(14)、n－ZnO层薄膜(15)和单晶光子晶体薄膜层(16)。
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