[实用新型]一种大功率芯片封装结构

摘要

本实用新型涉及芯片技术领域，具体涉及一种大功率芯片封装结构，包括底板、设于底板上端的第一焊料层，设于第一焊料层上端的DCB层、设于DCB层上端的第二焊料层、设于第二焊料层上端的芯片，所述第一焊料层和第二焊料层均为锡‑银‑铜系合金焊料层或锡‑银‑铟‑铋系合金焊料层。本实用新型通过使用锡‑银‑铜系合金焊料层或锡‑银‑铟‑铋系合金焊料层作为第一焊料层和第二焊料层，保证器件的高效散热性能的同时，增加了焊接力及耐高温性能，提高了器件的可靠性，另外，由于焊料为无铅焊料，满足了电子器件无铅化环保无毒的要求。

主权项

1.一种大功率芯片封装结构，其特征在于：包括底板、设于底板上端的第一焊料层，设于第一焊料层上端的DCB层、设于DCB层上端的第二焊料层以及设于第二焊料层上端的芯片，所述DCB层包括从下到上依次设置的第一铜层、陶瓷层和第二铜层，所述第一铜层与第一焊料层的上端连接，所述第二铜层与第二焊料层的下端连接，所述第一焊料层为锡-银-铜系合金焊料层或锡-银-铟-铋系合金焊料层，所述第二焊料层为锡-银-铜系合金焊料层或锡-银-铟-铋系合金焊料层。