[实用新型]双面湿法黑硅硅片有效
| 申请号： | 201721416478.8 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207558801U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 宫龙飞;金善明;张喜 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 215153 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双面湿法黑硅硅片。上述双面湿法黑硅硅片包括硅片本体，硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面；第一制绒面和第二制绒面上均布有若干个虫洞；虫洞的直径为200nm～1000nm，虫洞的深度为50nm～800nm。上述双面湿法黑硅硅片包括硅片本体，硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面。当虫洞的直径为200nm～1000nm，虫洞的深度为50nm～800nm时，光线照射入虫洞之后，能够在上述尺寸的虫洞的孔壁上经过多次反射，之后大部分光线能够被吸收。从而提高减反射效果，有利于广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 虫洞 制绒 硅片本体 硅片 黑硅 湿法 本实用新型 减反射效果 多次反射 光线照射 均布 孔壁 吸收 应用 | ||
【主权项】：
1.一种双面湿法黑硅硅片，其特征在于，包括硅片本体，所述硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面；所述第一制绒面和所述第二制绒面上均布有若干个虫洞；所述虫洞的直径为200nm～1000nm，所述虫洞的深度为50nm～800nm。
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