[实用新型]一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板

摘要

本实用新型涉及一种基于Cds‑SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层；复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，上催化层设置于上纳米管束和上导体层之间，上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。

主权项

1.一种基于Cds‑SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层，所述复合板层位于中间，所述上导体层形成有上导电图形，所述下导体层成有下导电图形，所述上导体层和下导体层分别位于复合板层的上下两侧；其特征在于：所述复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，所述上复合材料层叠设在下复合材料层上，上散热层设于上复合材料层之上，所述下散热层设于下复合材料层之下；所述上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，所有上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，所述上催化层设置于所有上纳米管束和上导体层之间，所有上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；所述下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，所有下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，所述下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，所有下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；所述上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。