[实用新型]转移探针和二维异质结的制备系统有效
| 申请号： | 201721443001.9 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN207676899U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 戴俊峰;赵悦 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种转移探针和二维异质结的制备系统。该转移探针包括玻璃衬底及依次层叠在玻璃衬底上的透明的弹性缓冲层、提取层及转移层，提取层选自聚碳酸亚丙酯层及聚甲基丙烯酸甲酯层中的一种，转移层为氮化硼层，转移层的平整度为埃米级。上述转移探针能够有效保证二维异质结的平整性，进而提高二维异质结器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 探针 异质结 转移层 制备系统 提取层 衬底 聚甲基丙烯酸甲酯层 本实用新型 弹性缓冲层 碳酸亚丙酯 异质结器件 玻璃 氮化硼层 依次层叠 平整度 平整性 透明的 自聚 保证 | ||
【主权项】：
1.一种转移探针，其特征在于，包括玻璃衬底、透明的弹性缓冲层、提取层及转移层，所述弹性缓冲层层叠在所述玻璃衬底上，所述提取层层叠在所述弹性缓冲层上，所述转移层层叠在所述提取层上，所述提取层选自聚碳酸亚丙酯层及聚甲基丙烯酸甲酯层中的一种，所述转移层为氮化硼层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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