[实用新型]一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚、石墨盖、石墨软毡保温层和感应加热装置，所述石墨盖位于石墨坩埚顶部封闭所述石墨坩埚，所述石墨盖内侧中心突出区域粘合有籽晶片，所述石墨软毡保温层包覆所述石墨坩埚的周围、顶部、底部，所述感应加热装置围绕所述石墨软毡保温层设置，所述感应加热装置包括上部感应线圈和下部感应线圈两组，所述石墨盖的顶部中心和石墨坩埚的底部中心处分别架设有红外线测温器。本实用新型感应加热装置采用上、下两组可独立控制的感应线圈装置和红外线测温器，可分别测量坩埚上下的温度，从而精确控制轴向温度梯度，获得理想的晶体生长界面，以得到高质量的碳化硅单晶晶体。

主权项

1.一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)、石墨盖(2)、石墨软毡保温层(3)和感应加热装置(4)，所述石墨盖(2)位于石墨坩埚(1)顶部封闭所述石墨坩埚(1)，所述石墨盖(2)内侧中心突出区域粘合有籽晶片(5)，所述石墨软毡保温层(3)包覆所述石墨坩埚(1)的周围、顶部、底部，其特征在于：所述感应加热装置(4)围绕所述石墨软毡保温层(3)设置，所述感应加热装置(4)包括上部感应线圈(41)和下部感应线圈(42)两组，所述石墨盖(2)的顶部中心和石墨坩埚(1)的底部中心处分别架设有红外线测温器(6)。