[实用新型]一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置有效
申请号: | 201721446601.0 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN207376143U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 廖弘基 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
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地址: | 362211 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置,包括腔体、石墨坩埚、石墨盖、石墨软毡保温层、感应线圈,石墨盖内粘合有籽晶片,石墨软毡保温层包覆石墨坩埚,感应线圈围绕石墨软毡保温层设置,石墨坩埚固定放置在底部支柱上,所述石墨软毡保温层与感应线圈之间套设有一石英筒,所述腔体中心上方架设有红外线高温计,石墨盖顶部的石墨软毡保温层中心对应红外线高温计开设有测量孔,所述石墨软毡保温层顶部中心两侧对称开设有安装口,安装口分别装载有从腔体上方伸入的热电偶。本实用新型以红外线高温计测量实际生长温度,外加装两只热电偶辅助监测温度,有效避免温度控制异常发生,精密控制生长装置的温度,生长高质量的晶体。 | ||
搜索关键词: | 一种 生长 碳化硅 精密 控制 温度 装置 | ||
【主权项】:
1.一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置,包括腔体(1)和设于腔体内的石墨坩埚(2)、石墨盖(3)、石墨软毡保温层(4)、感应线圈(5),所述石墨盖(3)位于石墨坩埚(2)顶部封闭所述石墨坩埚(2),所述石墨盖(3)内侧中心区域粘合有籽晶片(6),所述石墨软毡保温层(4)包覆所述石墨坩埚(2)的周围、顶部、底部,所述感应线圈(5)围绕所述石墨软毡保温层(4)设置,其特征在于:所述石墨坩埚(2)固定放置在底部支柱(7)上,所述石墨软毡保温层(4)与感应线圈(5)之间套设有一石英筒(8),所述腔体(1)中心上方架设有红外线高温计(9),所述石墨盖(3)顶部的石墨软毡保温层(4)中心对应所述红外线高温计(9)开设有测量孔(10),所述石墨软毡保温层(4)顶部中心两侧对称开设有安装口(11),所述安装口(11)分别装载有从腔体(1)上方伸入的热电偶(12)。
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