[实用新型]具有孔洞图形的半导体结构

摘要

本实用新型提供一种具有孔洞图形的半导体结构，包括：半导体基底；正性光刻胶层，形成于半导体基底上，光刻胶层具有第一曝光区，包括间隔排布的第一曝光单元及位于相邻第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元，光刻胶层还具有第二曝光区，重迭于第一曝光区，包括间隔排布的第二曝光单元及位于相邻第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元；第二非曝光单元与第一非曝光单元形成至少一个非曝光相交叉区域，用于以负性显影方式被去除以形成孔洞图形。本实用新型的孔洞图形的形成方法基于负型显影技术并结合双重曝光技术，降低制作门槛的难度，简化了工艺流程，降低成本，可以得到任意需要排布的孔洞，适于不同的器件结构。

主权项

1.一种具有孔洞图形的半导体结构，其特征在于，包括：半导体基底；正性光刻胶层，形成于所述半导体基底上，所述光刻胶层具有第一曝光区，且所述第一曝光区包括间隔排布的第一曝光单元以及位于相邻所述第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元，所述光刻胶层还具有第二曝光区，重迭于所述第一曝光区，所述第二曝光区包括间隔排布的第二曝光单元以及位于相邻所述第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元；以及其中，所述第二非曝光单元与所述第一非曝光单元形成有至少一个非曝光相交叉区域，且所述相交叉区域对应的光刻胶层用于以负性显影方式被去除以形成孔洞图形。