[实用新型]无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片有效
申请号: | 201721448627.9 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN207337259U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 聂海;王银 | 申请(专利权)人: | 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 | 代理人: | 韩晓银 |
地址: | 610093 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片,其中,无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,包括依次连接的启动电路单元、反馈回路单元、微电流源单元、带隙基准单元;启动电路单元采用稳压二极管结构,作为带隙基准源电路的输入级;反馈回路单元采用NPN管作为反馈回路,用于将输出电压反馈到微电流源单元的电流输入端;微电流源单元采用三极管的比例电流镜结构,用于将输出电流输入到带隙基准单元的输入端;带隙基准单元采用NPN管对输出电流进行处理,并输出输出电压。本实用新型简化了设计结构,从而提高了芯片加工的成功率。 | ||
搜索关键词: | 无运放 bjt 温度 系数 基准 电路 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,包括依次连接的启动电路单元、反馈回路单元、微电流源单元、带隙基准单元;所述启动电路单元采用稳压二极管结构,作为带隙基准源电路的输入级;所述反馈回路单元采用NPN管作为反馈回路,用于将输出电压反馈到所述微电流源单元的电流输入端;所述微电流源单元采用三极管的比例电流镜结构,用于将输出电流输入到所述带隙基准单元的输入端;所述带隙基准单元采用NPN管对所述输出电流进行处理,所述带隙基准单元输出所述输出电压。
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