[实用新型]一种制备铜铟镓硒化合物的装置有效
| 申请号： | 201721463168.1 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN207398068U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈腾 | 申请（专利权）人： | 北京汉能薄膜发电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种制备铜铟镓硒化合物的装置，所述装置包括L型石英管(1)，高温合成区(3)、低温蒸发区(2)，加热装置(5)，封泡(4)，其中：所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)分别设置在L型石英管(1)的两端;所述加热装置(5)间隔设置在L型石英管(1)的周围，用于对L型石英管(1)加热，并形成梯度温度；所述L型石英管一端封闭，另一端开放并设置有缩口，通过封泡(4)进行密封。利用本实用新型的装置制备的铜铟镓硒合金工艺流程简单，成分均匀，易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 铜铟镓硒 化合物 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备铜铟镓硒化合物的装置，其特征在于：所述装置包括L型石英管(1)，高温合成区(3)、低温蒸发区(2)，加热装置(5)，封泡(4)，其中：所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)分别设置在L型石英管(1)的两端；所述加热装置(5)间隔设置在L型石英管(1)的周围，用于对L型石英管(1)加热，并形成梯度温度；所述L型石英管一端封闭，另一端开放并设置有缩口，通过封泡(4)进行密封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
