[实用新型]一种碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201721465292.1 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN207425867U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅二极管，包括第一电极以及第二电极，该第一电极和第二电极之间设置碳化硅基部，该碳化硅基部包括依次形成的第一导电类型的衬底层、第一导电类型的外延层以及多晶硅层，在该外延层中靠近多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的体区，该多晶硅层的两端设置掺杂多晶硅层，在该外延层中靠近掺杂多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的深体区。本实用新型的碳化硅二极管通过设置体区和深体区减弱了电场集中效应，提高了碳化硅二极管的抗温度干扰性能并且提高了碳化硅二极管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅二极管 多晶硅层 外延层 掺杂多晶硅层 第一导电类型 本实用新型 导电类型 第二电极 第一电极 碳化硅基 边缘处 深体 电场集中效应 抗温度干扰 击穿电压 两端设置 衬底层 设置体 体区 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅二极管，包括第一电极以及第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置碳化硅基部，所述碳化硅基部包括依次形成的第一导电类型的衬底层、第一导电类型的外延层以及多晶硅层，在所述外延层中靠近多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的体区，其特征在于，所述多晶硅层的两端设置掺杂多晶硅层，在所述外延层中靠近掺杂多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的深体区。
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