[实用新型]一种低电容双向带负阻TVS器件有效
| 申请号： | 201721485595.X | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN207602569U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;杨琨;赵德益;赵志方 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统TVS器件抗浪涌能力和芯片版面是正比例关系，无法在得到大浪涌能力的同时得到小的器件电容。本实用新型通过叠片封装的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和低电容的特性，并且器件具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 低电容 芯片 本实用新型 大浪 负阻 封装 正比例关系 框架焊接 器件电容 上下叠合 抗浪涌 体积小 叠片 制备 版面 | ||
【主权项】：
1.一种带有串联TSS的双向TVS器件，其特征在于，包括上下叠合的一低电容TSS芯片和一TVS器件，所述低电容TSS芯片和所述TVS器件上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS器件共用。
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