[实用新型]背照式图像传感器及成像系统

摘要

本实用新型提供一种背照式图像传感器及成像系统，通过位于光电二极管之间的深沟槽隔离结构隔离光电二极管，深沟槽隔离结构中的导电材料通过离子注入区域耦合到电压源，导电材料响应于从所述电压源施加于导电材料的电压而在深沟槽隔离结构与半导体材料的界面处的半导体材料内诱发电荷，减少来自深沟槽隔离结构与半导体材料的界面处的缺陷对光电二极管的影响，从而减轻光电二极管的暗电流及热噪点，进而提高成像质量。

主权项

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，其包括：多个光电二极管，其位于半导体材料中；深沟槽隔离结构，其位于所述光电二极管之间以隔离所述光电二极管；离子注入区域，其位于所述半导体材料中且耦合至电压源；其中所述深沟槽隔离结构包含：导电材料，其耦合到所述离子注入区域及所述电压源；及电介质材料，其位于所述深沟槽隔离结构的侧壁上且介于所述半导体材料与所述导电材料之间。