[实用新型]一种晶体硅太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201721533206.6 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN207441709U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵科雄;贾苗苗;许庆丰 | 申请（专利权）人： | 隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池结构，自上而下依次包括正面电极、第一减反射膜、第一掺杂多/微晶硅层、第一隧穿氧化层、晶体硅片、第二隧穿氧化层、第二掺杂多/微晶硅层、第二减反射膜和背面电极；正面电极穿透第一减反射膜与第一掺杂多/微晶硅形成电接触；背面电极穿透第二减反射膜与第二掺杂多/微晶硅形成电接触。本实用新型的电池结构正面和背面可同时发电，提高了光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 减反射膜 掺杂 晶体硅太阳能电池 本实用新型 隧穿氧化层 背面电极 微晶硅层 正面电极 电接触 微晶硅 穿透 光电转换效率 电池结构 晶体硅片 背面 发电 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，自上而下依次包括正面电极(8)、第一减反射膜(1)、第一掺杂多/微晶硅层(2)、第一隧穿氧化层(3)、晶体硅片(4)、第二隧穿氧化层(5)、第二掺杂多/微晶硅层(6)、第二减反射膜(7)和背面电极(9)；正面电极(8)穿透第一减反射膜(1)与第一掺杂多/微晶硅层(2)形成电接触；背面电极(9)穿透第二减反射膜(7)与第二掺杂多/微晶硅层(6)形成电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
