[实用新型]运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器

摘要

本实用新型公开一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器。本实用新型信号由输入端口输入，流过同轴硅通孔电容器，再流入垂直螺旋式硅通孔电感器，然后流入同轴硅通孔电容器，通过输出端口流出。本实用新型利用同轴硅通孔电感器和垂直螺旋式硅通孔电感器构造低通滤波器元件，减小元件物理尺寸。运用同轴硅通孔充当电容器，相较于传统二维结构电容器拥有较短的互联长度，使得延迟时间、散射和导体损耗减小。此外垂直螺旋式硅通孔电感器的使用更是大大减少了低通滤波器的物理尺寸，而且提高了低通滤波器的各项性能。

主权项

1.运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，由多个元件单元构成，输入输出端口位于基底顶部的重新布局层，其特征在于：所述元件单元包括位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的硅通孔阵列与同轴硅通孔阵列、位于基底底部的重新构建层；硅通孔阵列包括位于同一直线但互不连接的六个硅通孔，从左至右定义为第一至第六硅通孔；同轴硅通孔阵列与硅通孔阵列平行设置，从左至右包括第一、第二同轴硅通孔；第一硅通孔的重新布局层端与第一同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第六硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第四硅通孔的重新布局层端与第二同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第一硅通孔的重新构建层端与第六硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第四硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，将第一同轴硅通孔的重新布局层端作为整个器件的信号输入端口或接相邻单元的信号输出端口，将第二同轴硅通孔的重新布局层端作为整个器件的信号输出端口或接相邻单元的信号输入端口。