[实用新型]一种高压隔离电容以及高压隔离变压器有效
| 申请号： | 201721557932.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN208385407U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 董志伟 | 申请（专利权）人： | 荣湃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种高压隔离电容以及高压隔离变压器，高压隔离电容包括：N个串联的子隔离电容，每个子隔离电容包括正极和负极，每个子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在衬底上，而正极和负极中的另一极远离衬底，其中衬底为SiO2，或者是生长在半导体衬底上的SiO2，N为大于1的自然数。本实用新型提供的隔离电容能够显著地降低隔离电容的厚度，并且能够通过采用现有的成熟工艺来实现较高的隔离电压。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离电容 衬底 正极 高压隔离电容 负极 高压隔离变压器 本实用新型 成熟工艺 隔离电压 半导体 串联 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高压隔离电容，包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，所述衬底为SiO2，或者是生长在半导体衬底上的SiO2，N为大于1的自然数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于荣湃半导体（上海）有限公司，未经荣湃半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721557932.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED模组
- 下一篇：一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
