[实用新型]氧化镓场效应晶体管有效
| 申请号： | 201721559577.1 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN207398151U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;冯志红;周幸叶;王元刚;谭鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/812;H01L29/423 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管。氧化镓场效应晶体管包括：衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。本实用新型实施例提供的氧化镓场效应晶体管，在通过提高氧化镓沟道层的厚度以提高电流密度时，通过将栅极设计为全包围所述氧化镓沟道层，不会导致栅控变差，能够获得良好的栅控。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓场效应晶体管，其特征在于，包括，衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。
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