[实用新型]微调激光器温度的结构有效
| 申请号： | 201721585040.2 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207409796U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京大族天成半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体激光器芯片的散热通道中制作槽或洞的结构，通过对槽或洞的填充，达到在一定范围内调节激光器芯片的散热条件，以改变激光器工作温度，从而改变激光器的工作波长，使激光器的工作波长，尤其是多管芯的激光器的波长一致性更好。尤其对波长锁定半导体激光器，可以获得更一致的波长锁定效果。同时，在筛选激光器芯片的时候，也可以放宽波长准确度的要求，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 波长锁定 工作波长 半导体激光器芯片 半导体激光器 波长一致性 波长准确度 调节激光器 激光器芯片 散热条件 散热通道 多管芯 微调 填充 芯片 筛选 制作 | ||
【主权项】：
1.微调激光器温度的结构，由半导体激光器芯片、热沉、过渡热沉、散热底板构成，其特征为，在过渡热沉或散热底板上激光器芯片的位置附近，有槽或洞结构，其中填充导热物质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大族天成半导体技术有限公司，未经北京大族天成半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721585040.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
