[实用新型]一种磷化铟单晶生长炉有效

专利信息
申请号: 201721587711.9 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN207525375U 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 肖祥江;囤国超;吕春富;任洋;叶晓达;董汝昆;杨嗣文;梁鹏 申请(专利权)人: 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B11/00
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 和琳
地址: 650000 云南省昆明市高新*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种磷化铟单晶生长炉,涉及新材料制备技术领域,尤其是一种磷化铟单晶生长炉,该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统;所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管,所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖,腔体外侧缠绕有冷却循环水管;所述的加热保温系统包括外壳、保温材料、电阻丝和炉膛,外壳包裹在炉膛外侧,保温材料填充在外壳与炉膛之间,电阻丝缠绕在炉膛外侧;加热保温系统下端设置有支撑系统,加热保温系统通过支撑系统支撑在腔体底端的氮气盖上。本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点,结构设计合理,能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强,从而保证磷化铟单晶质量。
搜索关键词: 磷化铟单晶 炉膛 加热保温系统 生长炉 氮气 支撑系统 腔体 冷却循环水管 冷却循环系统 保温材料 电阻丝 生长 缠绕 制备技术领域 本实用新型 有效地控制 炉内压强 腔体顶端 外壳包裹 磷化铟 底端 下端 填充 灵活 支撑 保证
【主权项】:
1.一种磷化铟单晶生长炉,其特征在于,该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统;所述冷却循环系统包括腔体(1)、氮气盖(2)和冷却循环水管(3),所述的腔体(1)为圆柱形中空结构,内部形成一个中空的腔室,腔体(1)顶端和底端均设置有氮气盖(2),腔体(1)外侧缠绕有冷却循环水管(3);所述的加热保温系统和支撑系统均设置在所述的腔室内部,加热保温系统包括外壳(4)、保温材料(6)、电阻丝(7)和炉膛(5),外壳(4)包裹在炉膛(5)外侧,保温材料(6)填充在外壳(4)与炉膛(5)之间,电阻丝(7)缠绕在炉膛(5)外侧;加热保温系统下端设置有支撑系统。
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