[实用新型]一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置有效
| 申请号： | 201721589853.9 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207608656U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;李铁;阎哲华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置。它包括石墨坩埚、加热线圈、抽真空装置和充气装置，抽真空装置和充气装置分别连接石墨坩埚内腔，连接处设置有蝶阀，加热线圈均匀设置在石墨坩埚外围，石墨坩埚内腔顶部设置有可移动的承载原料籽晶装置，充气装置连接氩气设备，加热线圈连接电子控制系统，抽真空装置包括机械泵和真空计，石墨坩埚内腔下方设置有多层交替均匀铺粉的C粉和Si颗粒。本实用新型的目的在于优化SiC单晶的生长工艺参数，进而生长出高纯半绝缘4H‑SiC单晶，具有提高SiC单晶生长效率、成品率、稳定性等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨坩埚 抽真空装置 充气装置 加热线圈 半绝缘碳化硅单晶 本实用新型 生长装置 单晶 内腔 生长 电子控制系统 生长工艺参数 氩气 单晶生长 多层交替 均匀设置 内腔顶部 半绝缘 成品率 机械泵 可移动 真空计 蝶阀 高纯 铺粉 籽晶 承载 外围 优化 | ||
【主权项】：
1.一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置，其特征在于它包括石墨坩埚、加热线圈、抽真空装置和充气装置，抽真空装置和充气装置分别连接石墨坩埚内腔，连接处设置有蝶阀，加热线圈均匀设置在石墨坩埚外围，石墨坩埚内腔顶部设置有可移动的承载原料籽晶装置，充气装置连接氩气设备，加热线圈连接电子控制系统，抽真空装置包括机械泵和真空计，石墨坩埚内腔下方设置有多层交替均匀铺粉的C粉和Si颗粒。
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