[实用新型]半导体器件的互连线结构

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件的互连线结构，介质层具有一凹槽，凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°，金属互连线填充在凹槽中，金属互连线无空隙方式填满空隙夹角，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。 1

主权项

1.一种半导体器件的互连线结构，其特征在于，包括：

一衬底；

一介质层，位于所述衬底上，所述介质层具有一凹槽，所述凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°；及

一金属互连线，填充在所述凹槽中，所述金属互连线无空隙方式填满所述空隙夹角。

2.如权利要求1所述的半导体器件的互连线结构，其特征在于，所述金属互连线沿着所述凹槽的边界填满所述凹槽，所述金属互连线的侧壁与所述凹槽的侧壁贴合。

3.如权利要求1所述的半导体器件的互连线结构，其特征在于，所述凹槽中更形成一接触窗口，由附着在所述凹槽的侧壁上的一钝化薄膜构成，所述金属互连线沿着所述接触窗口的边界填满所述接触窗口，所述金属互连线的侧壁与所述接触窗口的侧壁贴合。

4.如权利要求1所述的半导体器件的互连线结构，其特征在于，所述金属互连线的材料包含铜，所述介质层的材料包含二氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体器件的互连线结构，其特征在于，所述衬底中形成有一金属插塞，所述金属互连线经由所述凹槽连接所述金属插塞。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体器件的互连线结构，其特征在于，所述金属互连线包括铜籽晶层和覆盖所述铜籽晶层的铜电镀层，所述铜籽晶层在所述凹槽中的图案为连续，并且所述铜籽晶层在所述凹槽的侧壁向底部的弯折角小于等于90°。