[实用新型]一种三余度的薄膜压力敏感元件有效

专利信息
申请号: 201721604021.X 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN207622899U 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 潘婷;戚龙;戚云娟;闫军花;薛小婷;李莹 申请(专利权)人: 陕西电器研究所
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22;G01L9/04
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人: 李中群
地址: 710025 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种三余度的薄膜压力敏感元件,包括一个金属材料制帽形弹性体,在弹性体的表面镀有介质膜,在介质膜表面通过离子束溅射沉积工艺镀有应变合金膜,在应变合金膜的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区,应变电阻包括六对电阻,每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥,三个惠斯通电桥形成三路输出信号,在应变合金膜的应变电阻区域上镀有保护膜,在保护膜上位于应变合金膜形成的应变电阻的端子区域镀有镍膜。本实用新型是在薄膜压力敏感元件制作时将测量输出信号的惠斯通电桥进行三路输出的冗余设计,当一路输出信号出现故障时,可通过其他冗余信号进行测量,具有结构新颖、使用方便、测量范围宽、测量稳定性及可靠性好等优点。
搜索关键词: 应变电阻 应变合金 惠斯通电桥 薄膜压力 敏感元件 本实用新型 测量 保护膜 离子束溅射沉积 测量输出信号 三路输出信号 介质膜表面 金属材料 电阻组成 端子区域 光刻工艺 冗余设计 冗余信号 输出信号 表面镀 介质膜 膜形成 电阻 镍膜 三路 输出 制作
【主权项】:
1.一种三余度的薄膜压力敏感元件,其特征在于:包括一个金属材料制帽形弹性体(1),在弹性体(1)的表面镀有一层1.0~2.0微米厚的由SiO2薄膜和Si3N4薄膜叠加构成的介质膜(2),在介质膜(2)的表面通过离子束溅射沉积工艺镀有一层100~200纳米厚的应变合金膜(3),在应变合金膜(3)的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区,所述的应变电阻包括六对电阻,每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥,并形成一路输出信号,三个惠斯通电桥形成三路输出信号,在应变合金膜(3)的应变电阻区域上镀有100~200纳米厚的保护膜(4),在保护膜(4)上位于应变合金膜(3)形成的应变电阻的端子区域镀有厚度为300~400纳米的镍膜(5)。
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