[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室有效
申请号: | 201721619670.7 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN207977299U | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | O·卢尔;L·多尔夫;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉;D·M·库萨;J·罗杰斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;金红莲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中,本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括:第一环,所述第一环具有顶表面和底表面;可调整调谐环,所述可调整调谐环具有顶表面和底表面;以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。 | ||
搜索关键词: | 可调整 调谐 工艺套件 顶表面 基板处理腔室 致动机构 基板支撑构件 处理腔室 基板处理设备 基板 支撑 配置 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种用于基板处理腔室的工艺套件,所述工艺套件包括:第一环,所述第一环具有顶表面和底表面,所述底表面由基板支撑构件支撑,所述底表面至少部分地延伸到由所述基板支撑构件支撑的基板下方;可调整调谐环,所述可调整调谐环定位在所述第一环下方,所述可调整调谐环具有顶表面和底表面,所述可调整调谐环的所述顶表面与所述第一环限定可调整的间隙;以及致动机构,所述致动机构与所述可调整调谐环的所述底表面对接,所述致动机构被配置为更改限定在所述第一环的所述底表面与所述可调整调谐环的所述顶表面之间的所述可调整的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造