[实用新型]一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车有效
| 申请号： | 201721642209.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN207558802U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李华山 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/737 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。其中晶体管包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层。区别于现有技术，上述技术方案可以在一个晶体管芯片上实现多个功能，在电路设计时候只需要针对一个芯片进行设计，而且电路板占用面积可以大大减少。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 集成晶体管 磷化铝镓铟 砷化镓基板 砷化镓铟层 渐变层 砷化镓 电路板 本实用新型 晶体管芯片 电路设计 结构金属 金属触点 衬底层 集电极 触点 汽车 芯片 占用 | ||
【主权项】：
1.一种基于砷化镓的集成晶体管，其特征在于：包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层，N型砷化镓集电极衬底层上设置有N型砷化镓集电极层，N型砷化镓集电极层上设置有P型砷化镓基极层，P型砷化镓基极层上设置有N型磷化镓铟发射极层，N型磷化镓铟发射极层上设置有N型砷化镓铟接触层，HBT结构金属触点分别设置在N型砷化镓集电极衬底层、P型砷化镓基极层、N型砷化镓铟接触层上，砷化镓基板底面正对着LED结构金属触点和VCSEL结构金属触点处分别设置有金属触点，P型磷化镓层与VCSEL结构金属触点之间、N型砷化镓集电极衬底层与LED结构金属触点之间分别设置有底部在砷化镓基板的凹槽。
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