[实用新型]异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201721642375.3 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN207441731U 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 杨苗;郁操;徐希翔 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/05
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 周放;江怀勤
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种异质结太阳能电池,其包括晶硅基底,晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层;第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层;第一N型非晶硅层上设置有第一负电极,第一P型非晶硅层上设置有第一正电极;晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层;第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层;第二N型非晶硅层上设置有第二负电极,第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。本实用新型提供的异质结太阳能电池,通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极,使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联,减小了串联电阻,提升了光电转化效率。
搜索关键词: 本征非晶硅层 晶硅基 异质结太阳能电池 本实用新型 负电极 正电极 光电转化效率 正极 串联电阻 电池芯片 反面设置 正面设置 负极 正反面 焊带 减小 串联
【主权项】:
1.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶硅基底;所述晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层;所述第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层;所述第一N型非晶硅层上设置有第一负电极,所述第一P型非晶硅层上设置有第一正电极;所述晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层;所述第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层;所述第二N型非晶硅层上设置有第二负电极,所述第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。
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