[实用新型]一种Ge材料CMOS器件有效
| 申请号： | 201721643530.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN208127207U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种Ge材料CMOS器件，包括：Si衬底；Si1‑xGex外延层，设置于所述Si衬底上；P型Ge沟道层，设置于所述Si1‑xGex外延层上；介质层，设置于所述P型Ge沟道层上；隔离区，设置于所述P型Ge沟道层和所述介质层内部；N阱区，设置于所述隔离区的第一侧，且设置于所述P型Ge沟道层内；PMOS区域，设置于所述隔离区的第一侧；NMOS区域，设置于所述隔离区(104)的第二侧；钝化层，设置于所述介质层上。本实用新型提供的GeCMOS器件中高Ge组分Si1‑xGex/Si外延层晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 沟道层 介质层 本实用新型 外延层 衬底 外延层晶体 钝化层 | ||
【主权项】：
1.一种Ge材料CMOS器件，其特征在于，包括：Si衬底(1011)；Si1‑xGex外延层(1012)，设置于所述Si衬底(1011)上；P型Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex外延层(1012)上；介质层(103)，设置于所述P型Ge沟道层(102)上；隔离区(104)，设置于所述P型Ge沟道层(102)和所述介质层(103)内部；N阱区(105)，设置于所述隔离区(104)的第一侧，且设置于所述P型Ge沟道层(102)内；PMOS区域(106)，设置于所述隔离区(104)的第一侧；NMOS区域(107)，设置于所述隔离区(104)的第二侧；钝化层(108)，设置于所述介质层(103)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
