[实用新型]具有侧面反射层的发光二极管有效
申请号: | 201721685120.5 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207637833U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 张锺敏;金彰渊;林栽熙 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/44;F21S41/141 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本实用新型提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括:基板,具有侧面;半导体叠层,布置于基板下部,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层;欧姆反射层,电连接于第二导电型半导体层;第一凸起焊盘及第二凸起焊盘,布置于欧姆反射层下部,分别电连接于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;侧面反射层,覆盖基板的侧面;覆盖层,覆盖基板的上表面及侧面反射层。 | ||
搜索关键词: | 导电型半导体层 反射层 侧面 发光二极管 覆盖基板 电连接 焊盘 凸起 半导体叠层 本实用新型 基板下部 覆盖层 活性层 上表面 基板 夹设 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:基板,具有侧面;半导体叠层,布置于所述基板下部,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层;欧姆反射层,电连接于所述第二导电型半导体层;第一凸起焊盘及第二凸起焊盘,布置于所述欧姆反射层下部,分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;侧面反射层,覆盖所述基板的侧面;以及覆盖层,覆盖所述基板的上表面及所述侧面反射层。
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