[实用新型]一种晶体外延结构

摘要

本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本实用新型中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。

主权项

1.一种晶体外延结构，其特征在于，包括：衬底(1)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；晶格匹配层(2)和第二晶格失配层(4)，依次设置在所述第一表面(11)上；第一晶格失配层(3)，设置在所述第二表面(12)上；所述第一晶格失配层(3)、所述衬底(1)以及所述第二晶格失配层(4)的晶格常数单调递增或单调递减。