[实用新型]一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置有效
| 申请号： | 201721699541.3 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN207596994U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥;郝晓红 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，属于半导体晶体合成与生长装置领域，采用的技术方案是一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统、测温系统、保温系统和控制系统，所述合成与晶体生长系统包括坩埚和设置在其水平一侧的挥发元素承载器，挥发元素承载器借助注入管与坩埚连通实现水平注入合成；炉体借助配套的旋转机构具有旋转自由度。有益效果是本装置巧妙设置炉体的旋转系统，控制挥发元素承载容器和晶体生长坩埚的位置变化，水平注入合成和垂直梯度晶体生长巧妙结合；装置结构简单，易于操作和控制，利于半导体晶体的产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 垂直温度梯度 晶体生长装置 化合物晶体 挥发元素 炉体 晶体生长系统 半导体晶体 承载器 配套的 坩埚 晶体生长坩埚 本实用新型 产业化生产 旋转自由度 保温系统 测温系统 承载容器 垂直梯度 加热系统 晶体生长 控制系统 生长装置 位置变化 旋转机构 旋转系统 装置结构 注入管 炉腔 连通 | ||
【主权项】：
1.一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体（17）、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统、测温系统、保温系统和控制系统，其特征在于，所述合成与晶体生长系统包括侧面设有籽晶容纳腔（9‑1）的坩埚（9）和设置在其水平一侧的挥发元素承载器（6），所述挥发元素承载器（6）借助注入管（8）与坩埚（9）连通实现水平注入合成；所述炉体（17）借助配套的旋转机构具有旋转自由度，实现水平注入合成后旋转垂直温度梯度晶体生长。
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