[实用新型]一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构有效
申请号: | 201721700138.8 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN207619517U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 童凯;曾兴中;肖冯俊树;蔡晓义;柯贤军;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 章兰芳 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构,在线性蒸镀源喷嘴结构的上方设置有低温多晶硅基板,在线性蒸镀源喷嘴结构的侧方设置有石英晶振片,线性蒸镀源喷嘴结构由至少八个喷嘴排列而成,其中位于中间的喷嘴为直立喷嘴,直立喷嘴的喷嘴口朝向所述低温多晶硅基板;位于两侧的至少各一个喷嘴为向外侧倾斜的倾斜喷嘴,倾斜喷嘴的喷嘴口朝向所述石英晶振片。本实用新型中石英晶振片只通过专用的两侧倾斜喷嘴来监控材料的实际蒸发速率,与用于将材料蒸发到LTPS基板的直立喷嘴互不干涉,从而减少因为中间用于LTPS基板蒸镀的直立圆柱喷嘴堵孔以及真空波动导致线性蒸发源扫描过程中的速率波动,同时有助于改善蒸镀膜层的膜厚均匀性。 | ||
搜索关键词: | 线性蒸镀源喷嘴 喷嘴 直立 石英晶振片 倾斜喷嘴 速率波动 基板 本实用新型 低温多晶硅 喷嘴口 蒸镀 蒸发 膜厚均匀性 线性蒸发源 互不干涉 基板蒸镀 喷嘴排列 扫描过程 外侧倾斜 圆柱喷嘴 真空波动 蒸镀膜层 专用的 侧方 堵孔 监控 | ||
【主权项】:
1.一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构,在所述线性蒸镀源喷嘴结构的上方设置有低温多晶硅基板,在所述线性蒸镀源喷嘴结构的侧方设置有石英晶振片,其特征在于:所述线性蒸镀源喷嘴结构由至少八个喷嘴排列而成,其中位于中间的喷嘴为直立喷嘴,所述直立喷嘴的喷嘴口朝向所述低温多晶硅基板;位于两侧的至少各一个喷嘴为向外侧倾斜的倾斜喷嘴,所述倾斜喷嘴的喷嘴口朝向所述石英晶振片。
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