[实用新型]定位结构以及晶片加工设备有效
| 申请号： | 201721701698.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN207587713U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴航;张海东;张新泉;陈聪 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种定位结构及晶片加工设备，晶片加工设备通过该定位结构对晶片进行定位。其中定位结构包括：底座；第一透气陶瓷层，位于所述底座上；以及真空通路，位于所述底座内，用于将待定位件吸附于所述第一透气陶瓷层表面，其中，所述第一透气陶瓷层的面积小于所述待定位件与所述定位结构的接触面，使得所述待定位件将所述第一透气陶瓷层完全覆盖。根据本实用新型的定位结构及晶片加工设备，第一透气陶瓷层的面积小于待定位件与定位结构的接触面，使得待定位件将第一透气陶瓷层完全覆盖，在真空通路将待定位件吸附于第一透气陶瓷层表面的过程中，避免了粉尘及废水吸入第一透气陶瓷层，从而避免释放真空时粉尘及废水反吹引起的待定位件沾污问题。 | ||
| 搜索关键词： | 透气陶瓷 定位结构 位件 晶片加工设备 底座 真空通路 吸附 粉尘 废水 本实用新型 反吹 晶片 吸入 沾污 释放 | ||
【主权项】：
1.一种定位结构，其特征在于，包括：底座；第一透气陶瓷层，位于所述底座上；以及真空通路，位于所述底座内，用于将待定位件吸附于所述第一透气陶瓷层表面，其中，所述第一透气陶瓷层的面积小于所述待定位件与所述定位结构的接触面，使得所述待定位件将所述第一透气陶瓷层完全覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
