[实用新型]一种表层合金力增强的GPP芯片有效
申请号: | 201721713128.8 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN207690788U | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 程崑岚 | 申请(专利权)人: | 固镒电子(芜湖)有限公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 杨红梅 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种表层合金力增强的GPP芯片,涉及GPP芯片生产技术领域,改GPP芯片包括硅芯片层和镀结在硅芯片层表面的镍金属层,所述的镍金属层是由第一烧结镍金属层、第二烧结镍金属层及第三镍金属层构成,在保持整体镍金属层厚度不变的状况下,采用三次化学镀镍和两次烧结合金化制备成镍金属层,每次镍的镀层减薄,硅与镍的结合力增强,通过多镀一层镍,后段工序形成二极管时,硅片的表层镍与铜引线的结合拉力增强20%,减少在硅片中拉断的几率,提高了晶粒的良品率。 | ||
搜索关键词: | 镍金属层 硅芯片 表层合金 金属层 烧结镍 本实用新型 二极管 晶粒 化学镀镍 两次烧结 生产技术 合金化 结合力 良品率 铜引线 硅片 镀层 后段 减薄 拉断 制备 | ||
【主权项】:
1.一种表层合金力增强的GPP芯片,包括硅芯片层(1)和镀结在硅芯片层表面的镍金属层(2),其特征在于,所述的镍金属层(2)是由第一烧结镍金属层(21)、第二烧结镍金属层(22)及第三镍金属层(24)构成。
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