[实用新型]一种晶体探测器有效
| 申请号： | 201721715007.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207623541U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 林振华;伯努瓦·瓦特傅依;卢国能;张庆泽 | 申请（专利权）人： | 天津华放科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202;G01T1/208;G01T1/178 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市南开区宜宾道*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体探测器，包括晶体块、反射包裹膜、SiPM传感器、光电二极管、探测通道选择开关和中央控制器，所述晶体块为圆柱形结构，所述SiPM传感器和所述光电二极管安装在所述晶体块的外表面，所述反射包裹膜分别设置在除晶体块与SiPM传感器、光电二极管连接面外的其他外表面，此设置可加强探测器探测能量分辨率，所述探测通道选择开关与所述SiPM传感器、光电二极管均为电性连接，所述中央控制器的输入端与所述探测通道选择开关电性连接，所述中央控制器的输出端与所述SiPM传感器和光电二极管均为电性连接。设置的SiPM传感器和光电二极管保证晶体探测器探测范围，能够实现对高放射性活度与低放射性活度的晶体探测。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 传感器 晶体探测器 中央控制器 电性连接 探测通道 探测 包裹膜 活度 反射 本实用新型 能量分辨率 圆柱形结构 低放射性 高放射性 连接面 输出端 输入端 探测器 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶体探测器，其特征在于：包括晶体块(1)、反射包裹膜(2)、SiPM传感器(3)、光电二极管(4)、探测通道选择开关(5)和中央控制器(6)，所述晶体块(1)为圆柱形结构，所述SiPM传感器(3)和所述光电二极管(4)安装在所述晶体块(1)的同一外表面，所述反射包裹膜(2)分别设置在除晶体块(1)与SiPM传感器(3)、光电二极管(4)连接面外的其他外表面，所述探测通道选择开关(5)与所述SiPM传感器(3)、光电二极管(4)均为电性连接，所述中央控制器(6)的输入端与所述探测通道选择开关(5)电性连接，所述中央控制器(6)的输出端与所述SiPM传感器(3)和光电二极管(4)均为电性连接。
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