[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型提供一种半导体器件，包括半导体衬底上形成的有源区、沟槽隔离结构、字线和位线；位线之间设有接触窗，接触窗中设有源极触点和间隔壁；源极触点与间隔壁之间设有扩展区以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。本实用新型通过增加源极触点显露端面的接触面积，使存储节点接触和源极触点的接合层接触面积最大化，提高半导体器件的导电性能。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有源区、隔离各所述有源区的沟槽隔离结构、多条字线以及所述半导体衬底上形成多条位线；位线隔离结构，形成于所述半导体衬底上并覆盖所述位线；其中，所述有源区上形成接触窗，形成于所述位线隔离结构之间，并且所述接触窗底部显露所述有源区的源极区；源极触点，设置于所述有源区在相邻两所述字线之外的源极区上并位于所述接触窗底部；间隔壁，形成于所述位线隔离结构在所述接触窗内的侧壁上，在所述间隔壁下端面与所述源极触点之间形成有扩展间隙，相邻所述间隔壁之间形成为通道孔，所述扩展间隙与所述间隔壁之间的所述通道孔连通；存储节点接触，形成于所述源极触点上，所述存储节点接触依照高度分为形成于所述通道孔内的填孔部以及填充于所述扩展间隙的扩展底部，使得所述扩展底部在和所述源极触点的接合面积不小于所述填孔部沿水平方向截取的截面积。