[实用新型]一种用以装载晶圆的晶舟及扩散炉有效
申请号: | 201721722795.2 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN207503940U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 谢峰 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种用以装载晶圆的晶舟及扩散炉,适用于炉管工艺中,其中,包括:晶舟盒;承托结构,设置于晶舟盒的内侧壁上,用以承托晶圆;吸附孔,设置于承托结构上,用以吸附放置于承托结构上的晶圆。其技术方案的有益效果在于,将晶圆放置于晶舟中的承托结构上时,通过承托结构上设置的吸附孔可将晶圆吸附固定于承托结构上,可有效避免因为炉管内的温度的急剧变化造成晶圆在承托结构上出现抖动,解决了晶圆与承托结构之间的摩擦形成颗粒物掉落于晶圆上造成晶圆污染的问题。 1 | ||
搜索关键词: | 晶圆 承托结构 晶舟 晶舟盒 扩散炉 吸附孔 炉管 装载 本实用新型 急剧变化 吸附固定 颗粒物 内侧壁 掉落 抖动 承托 吸附 摩擦 污染 | ||
【主权项】:
1.一种用以装载晶圆的晶舟,适用于炉管工艺中,其特征在于,包括:
晶舟盒;
承托结构,设置于所述晶舟盒的内侧壁上,用以承托晶圆;
吸附孔,设置于所述承托结构上,用以吸附放置于所述承托结构上的所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述晶舟盒的内侧壁上设置有多个所述承托结构。3.根据权利要求2所述的晶舟,其特征在于,相邻的所述承托结构之间的间隔相同。4.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述承托结构包括;一对承托板,所述一对承托板相对设置于所述晶舟盒的内侧壁上,用以承托放置的所述晶圆;
所述吸附孔开设于每个承托板的顶部,通过所述吸附孔吸附放置于所述承托板上且覆盖所述吸附孔的所述晶圆。
5.根据权利要求4所述的晶舟,其特征在于,相对设置的所述一对承托板之间设置有一预定间隔。6.根据权利要求5所述的晶舟,其特征在于,所述预定间隔小于所述晶圆的宽度。7.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述晶舟的材质由石英材质制成。8.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,还包括一通气管道,所述通气管道设置于所述晶舟盒的盒体内部,并与所述承托的所述吸附孔连通;所述通气管道的相对于所述吸附孔的一端连接有一抽气设备。
9.根据权利要求8所述的晶舟,其特征在于,所述抽气设备为气泵。10.一种扩散炉,其特征在于,所述扩散炉中设置有如权利要求1‑9中任一所述的晶舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造