[实用新型]晶舟以及炉管有效
申请号: | 201721725329.X | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN207503941U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 谢峰 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种晶舟以及炉管,所述晶舟包括立柱和设置在所述立柱上的支撑架,所述支撑架用于支撑晶圆,所述支撑架包括倾斜向下的支撑斜面以及设置在所述支撑斜面上的凸起,所述凸起低于所述支撑斜面支撑晶圆的位置。本实用新型提供的晶舟以及炉管,通过支撑架倾斜向下的支撑斜面来支撑晶圆,使晶圆与支撑架的接触面积较小,从而使摩擦发生的面积减小,减少颗粒物的产生,并在低于支撑斜面支撑晶圆的位置设置有凸起,从而防止摩擦产生的颗粒物掉落到下面的晶圆上,有效的减少晶舟造成的缺陷,提高了生产的良率。 1 | ||
搜索关键词: | 晶圆 支撑架 支撑斜面 晶舟 支撑 炉管 凸起 本实用新型 倾斜向下 颗粒物 立柱 防止摩擦 面积减小 掉落 良率 种晶 摩擦 生产 | ||
【主权项】:
1.一种晶舟,其特征在于,所述晶舟包括立柱和设置在所述立柱上的支撑架,所述支撑架用于支撑晶圆,所述支撑架包括倾斜向下的支撑斜面以及设置在所述支撑斜面上的凸起,所述凸起低于所述支撑斜面支撑晶圆的位置。2.如权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撑架上设置有定位槽,所述定位槽用于确定晶圆位置。3.如权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起具有弧形的表面。4.如权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撑架倾斜的夹角小于30°。5.如权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起的长度为1mm~10mm。6.如权利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述立柱的数量为3个。7.如权利要求1‑6中任意一项所述的晶舟,其特征在于,所述晶舟还包括上盖,所述上盖设置在所述立柱上。8.如权利要求7所述的晶舟,其特征在于,所述上盖通过可拆卸的方式与所述立柱连接。9.如权利要求7所述的晶舟,其特征在于,所述晶舟还包括把手,所述把手设置在所述上盖上和/或所述立柱上。10.一种炉管,其特征在于,所述炉管包括如权利要求1‑9中任意一项所述的晶舟和炉腔,所述晶舟设置在所述炉腔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造